1、IGBT模块(InsulatedGateBipolarTransistor),是绝缘栅双极型晶体管,由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2、兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大。
3、但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大。
4、载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
1、IGBT模块(InsulatedGateBipolarTransistor),是绝缘栅双极型晶体管,由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2、兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大。
3、但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大。
4、载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
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