【什么是GTR】GTR是“GaN on Silicon Transistor”的缩写，即在硅基板上制造的氮化镓晶体管。它是一种新型的功率半导体器件，结合了氮化镓（GaN）材料的优异性能与硅基板的成熟制造工艺。GTR在高频、高效率和高功率密度的应用中表现出色，广泛应用于电源转换、电动汽车、工业电机驱动等领域。
GTR的核心特点总结：
- 高频率工作能力：GTR可以在GHz级别下稳定运行，适用于高频开关应用。
- 低导通电阻：相比传统硅基MOSFET，GTR具有更低的导通电阻，减少能量损耗。
- 高耐压能力：GTR能够承受较高的电压，适合高压应用场景。
- 高热稳定性：氮化镓材料具有良好的热导性，有助于提高设备的散热效率。
- 兼容硅工艺：GTR基于硅基板制造，可以与现有半导体生产线兼容，降低生产成本。
GTR与传统半导体器件对比表
| 特性 | GTR（GaN on Si） | 硅基MOSFET | SiC MOSFET |
| 材料 | 氮化镓（GaN） | 硅（Si） | 碳化硅（SiC） |
| 工作频率 | 高（MHz~GHz） | 中等（kHz~MHz） | 高（MHz~GHz） |
| 导通电阻 | 低 | 较高 | 低 |
| 耐压能力 | 高 | 中等 | 非常高 |
| 热导率 | 中等 | 低 | 高 |
| 成本 | 较高 | 低 | 高 |
| 应用场景 | 电源转换、无线充电、电动汽车 | 通用电源、家电 | 高端工业、电动汽车 |
GTR作为一种新兴的功率器件，正在逐步替代传统的硅基MOSFET，在许多高性能应用中展现出独特优势。随着技术的不断进步，GTR的成本有望进一步降低，应用范围也将持续扩大。
