基础自旋电子学研究揭示磁性二阶拓扑绝缘体的通用方法

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隶属于FLEET中心的莫纳什大学的研究人员揭示了一种通用方法,可以实现本征磁性二阶拓扑绝缘体。这些材料对于自旋电子学的发展至关重要,自旋电子学是一个新兴领域,旨在利用自旋自由度传递信息。他们的研究发表在《纳米快报》上。

近年来,二维铁磁半导体(例如CrI3、Cr2Ge2Te6和VI3)得到了广泛的研究。这些材料是自旋电子学的基础。拓扑绝缘体是一种具有独特性质的材料,其内部是绝缘的,但边界可以传导电子。

在三维拓扑绝缘体(如Bi2Se3)中,表面存在二维狄拉克费米子。二阶拓扑绝缘体是扩展拓扑绝缘体概念的新概念,它在m维材料中表现出(m-2)维边界态,例如三维材料中的一维铰链态和二维材料中的零维角态。

本征铁磁半导体通常是强关联材料,其特点是电子与电子之间具有强关联。这些相互作用非常明显,以至于相邻原子之间很少有“电子通信”,从而形成一个类似于原子绝缘体、没有拓扑特性的系统。因此,连接这两种状态具有挑战性。

这项研究由赵刘博士和尼基尔·梅德赫卡教授在FLEETTHEME1下领导,找到了一个巧妙的解决方案。他们发现,在某些本征铁磁半导体中,配体阴离子的p轨道和金属阳离子的d轨道可以形成反转轨道顺序。

传统的铁磁半导体具有正常有序的pd轨道,即p轨道的能量比d轨道低得多,因此p轨道共用一个封闭的壳层,作为信使在两个具有开放d壳层的金属阳离子之间“传递”超交换相互作用。

然而,当部分p轨道的能量高于所有d轨道时,就会出现倒置pd轨道。由于p和d轨道具有相反的宇称,因此预计倒置和正常有序pd轨道分别会产生非平凡和平凡的拓扑相。

研究人员利用先进的密度泛函理论计算和波函数对称性分析,将1T-VS2和CrAs单层确定为本征磁性二阶拓扑绝缘体的潜在候选者。1T-VS2具有六方晶格,而CrAs单层具有方晶格。在这两种材料中,自旋向上通道均显示倒置的pd轨道,从而产生非平凡拓扑,而自旋向下通道则具有正常有序的pd轨道和平凡拓扑。

当1T-VS2纳米薄片生长成六边形或三角形,CrAs生长成正方形时,可以用自旋极化扫描隧道显微镜来检测这些仅局限于角落的状态。

“我们的工作可以推广到Kondo绝缘体,其中d和f轨道的作用与这里研究的p和d轨道相似。考虑到拓扑Kondo绝缘体已在该领域得到认可,发现二阶拓扑Kondo绝缘体将是一件令人兴奋的事情,”Medhekar教授说。

更多信息:ZhaoLiu等人,通过倒置p-d轨道实现本征磁性二阶拓扑绝缘

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